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由于在扩散过程中，即使采用背靠背扩散，硅片的所有表面包括边缘都将不可避免地扩散上磷。PN结的正面所收集到的光生电子会沿着边缘扩散有磷的区域流到PN结的背面，而造成短路。因此，务必对太阳能电池周边的掺杂硅进行刻蚀，以去除电池边缘的PN结。通常采用等离子刻蚀技术完成这一工艺。

为了制备合乎器件和集成电路制作要求的硅片表面，必须进行抛光，以除去残留的损伤层并获得一定厚度的高平整度的镜面硅片。抛光分机械抛光、化学抛光、电子束抛光、离子束抛光，较普遍采用的是化学机械抛光。化学机械抛光是化学腐蚀和机械磨削同时进行，分为铜离子抛光、铬离子抛光和普遍采用的二氧化硅胶体抛光。二氧化硅胶体抛光是由极细的二氧化硅粉、氢氧化钠（或有机碱）和水配制成胶体抛光液。在抛光过程中，氢氧化钠与硅表面反应生成硅酸钠，通过与二氧化硅胶体的磨削，硅酸钠进入抛光液，两个过程不停顿地同时进行而达到抛光的目的。根据不同要求，可用一次抛光、二次抛光(粗抛光和精抛光)或三次抛光（粗抛光、中间抛光和精抛光）。为满足超大规模集成电路对表面质量和平整度的要求，已有无蜡抛光和无磨料抛光等新工艺。

有机硅料回收 有机硅料是指含有Si-C键、且至少有一个有机基是直接与硅原子相连的化合物。 硅料回收主要包括电子用消泡剂、高温强碱型消泡剂、强酸强碱用消泡剂、高温用消泡剂、涂料油墨用消泡剂、印花用消泡剂、印染用消泡剂、洗涤用消泡剂、水处理用消泡剂、造纸用消泡剂、复膜胶用消泡剂、通用型消泡王、食品医药用消泡剂、油溶性消泡剂、油墨用助剂、防粘增光滑爽剂、定向分散剂、水溶性消泡剂、流平剂、分散剂、增稠流平剂、柔软滑爽剂、新型环保硬挺剂、汽车上光剂、防潮绝缘防污剂、纺织印染用助剂、抗静电柔软剂、平滑剂、硅酮密封胶、有机硅耐热磁漆、有机硅防水剂、硅基柔软剂、有机硅醇防水剂、高温固化硅树脂复合涂料、有机硅树脂漆、有机硅疏水助剂、有机硅绝缘漆、各色有机硅耐热磁漆、有机硅表面活性剂、硅醇、密封胶、粘合剂、有机硅平滑剂、阴离子型氨基改性硅溶液、有机硅羟乳、硅酸甲酯、硅酸乙酯、中性硅酮粘接密封剂、模具胶、六甲基二硅氨、三甲基氯硅烷氨、六甲基二硅醚、有机硅封头剂、有机硅脱模剂、有机硅消泡剂、正硅酸乙酯。

1、 硅片回收的具体要求

其实对于无锡硅片回收来说，对他的切割也是一种加工的方法，只不过说在这个过程中对他的要求相对也是比较高的。简单来说硅片的厚度对他的生产力是会产生影响的，当然了要是我们没有对昆山硅片回收的精度进行控制的话，那势必会对合格率带来负面影响，相信大家都不希望看到这种结构吧。除此之外我们还应该要看看他的精度应该要如何控制，要是把这方面掌握好了，那对我们整体作业的帮助还是蛮大的。

2、 硅片回收作业的注意点

其实当我们在对昆山硅片回收进行切割的时候，往往我们都会用到碳化切割，那么在这个过程中我们所需要注意的问题就比较多的。当我们用碳化硅进行切割，那他起到的主导作用就不用说了，不仅如此我们还应该要看看他的硬度和圆形度是怎么样的，总体来说这些细节对我们的作业起到的作用还是很关键的。要是有朋友发现他的切割能力下降了，那势必对硅片的质量也会有连带影响，对于这点还是希望大家能够注意的。